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石英坩堝的內表面氣泡含量
| 坩堝最內表層是指透明層中最靠近內表面1-2mm的部分。圖中表明了在使用過(guò)程中,坩堝對硅液起作用的機理--由于與硅液接觸的內表面不斷向硅液中熔解,并且伴隨著(zhù)透明層中的微氣泡不斷的長(cháng)大,靠近最內表面的氣泡破裂,伴隨著(zhù)硅液釋放石英微顆粒以及微氣泡。而這些雜質(zhì)會(huì )以微顆粒以及微氣泡的形式伴隨著(zhù)硅液流遍整個(gè)硅熔體,直接影響到硅的成晶(整棒率、成晶率、加熱時(shí)間、直接加工成本)以等及單晶硅的質(zhì)量(穿孔片、黑芯片等)。 | |
| 普通坩堝,使用前內表面氣泡較多,使用中內表面氣泡不斷破裂,直接污染硅熔體、影響單晶拉制,氣泡破裂現象隨著(zhù)時(shí)間的增加愈加嚴重,無(wú)法滿(mǎn)足長(cháng)時(shí)間拉晶的需要。 |
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| 高品質(zhì)坩堝,使用前內表面基本無(wú)氣泡,使用中內表面氣泡破裂現象極少,為長(cháng)時(shí)間拉晶(如多次復投料)提供保障。 |
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2024-05-31 16:01:10
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